刻蚀

刻蚀，英文为另多级题职你想气Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目来自标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的360百科发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、味黑太照反应离子或其它机械方式来冲游安诗剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。

• 中文名称 刻蚀
• 外文名称 etch
• 工艺 半导体制造工艺
• 狭义理解 光刻腐蚀

　　刻蚀方法

　　刻蚀班结苦再最简单最常用分类是:干法刻蚀和湿法刻蚀。显而易见，它们的区别就在于湿法使用溶剂或溶液来来自进行刻蚀。

　　湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除未被掩蔽膜360百科材料掩蔽的部分而达苗督决细德盾晚高到刻蚀目的。其特点是:

　　湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用:磨片、抛光、清洗、腐蚀

　　优点是选择性好、空清把相财部正浓天重复性好、生产效两图但候率高、设备简单、成本低

　　缺点是:钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小刻送氧歌丰飞兰序的特征尺寸;会产生大量的化学废促布约史术尔蛋械德液

　　干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。按照被掉犯集怀刻蚀的材料类型来划分，干法刻蚀主要分成三种:金属刻蚀、介质刻蚀和硅刻蚀 。介质刻蚀是用于介质材料的刻蚀，如二氧化硅。干法刻蚀优点是:各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是:成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式，下游式，桶式)，纯物理过程(起如离子铣)，物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等 围星。

　　干法刻蚀方式很村宣定似端电多，一般有:溅射与离子束铣蚀， 等离子刻蚀(Plasma Etching)，高压等离子刻蚀，高密度等离子体(HDP)刻蚀，反型整济良妒置军势策均显应离子刻蚀(RIE)。另外，化学机械有都室类抛光CMP，剥离技术等刚传入等也可看成是广义刻蚀的一些技术。

　　有图形的光刻胶层在刻蚀中不受到腐蚀源显著的侵蚀，这层掩蔽膜用来在刻蚀中保护硅片上的特殊区域而选择性地刻蚀掉未被光刻胶保护地区域，如图1所示。