反型层

反型层是半来自导体材料中的一层，在某些条件下，多数载流子的类型在一定条件下变化。在通常的MOS器件中，反型层构成导电沟道，是器件导通的原因，表面反型状态对MOS360百科器件至关重要。

• 中文名称 反型层
• 外文名称 inversion layer
• 器件 MOS器件
• 结果 导电沟道
• 对象 导电沟道

概念

　　当栅源之间加上正向电压P型衬底相当于以SiO2为介质的平板电容器，在正的栅源电压的作用下，介质将产生一个垂直于半导体表面的由栅极指向P衬底的电场但不会产生电流iG。这个电场是排斥空穴而吸引电子的，因此，使栅极附近的P型衬底中的空穴被排斥，同时P型衬底中的少子来自(电子)被吸引到栅极下的衬底表360百科面，但正的栅源电压达到一定数值时，这些电子在栅极附近的P型硅表面便形成了一个N型薄层，称之为反型层。在反型状态下，反号满型载流子主要分布在紧靠表卫座教石研育面的薄层内，其厚度约为10nm，比下面的耗尽层薄得多。一般假定反型层是一个厚度可以忽略的薄层，这一假设称为电荷薄层近似，全部降落在洋滑其下的耗尽层上。

强反型状态

　　半导体表面的少数载流子浓度等于体内的多数载流快回植医校若英钱身此弱子浓度时，半导体表面开始强反型。

　　强反型时，表面势近似为不变的数值，耗尽岁则称层电荷及耗尽层厚度有极握溶轮探然氢面燃丰热宜大值，此时过剩栅压只这改些总是形成反型层电荷。